Public Information
Awards, Press, etc.
FY 2025
Press
| 53 | infoseek 「AI時代の電力危機に挑む 東北大の半導体技術と人材育成」 2025/6/29 |
|---|---|
| 52 | dmenuニュース 「AI時代の電力危機に挑む 東北大の半導体技術と人材育成」 2025/6/29 |
| 51 | Yhaoo！ニュース 「AI時代の電力危機に挑む 東北大の半導体技術と人材育成」 2025/6/29 |
| 50 | dmenuニュース 「NTTの光半導体「IOWN」、アームやソニーが採用する東北大学の「MRAM」 日本の2大先端技術は大逆転の切り札となるか」 2025/6/23 |
| 49 | au webポータル NEWS 「NTTの光半導体「IOWN」、アームやソニーが採用する東北大学の「MRAM」 日本の2大先端技術は大逆転の切り札となるか」 2025/6/23 |
| 48 | livedoor News 「NTTの光半導体「IOWN」、アームやソニーが採用する東北大学の「MRAM」 日本の2大先端技術は大逆転の切り札となるか」 2025/6/16 |
| 47 | Jbpress 「NTTの光半導体「IOWN」、アームやソニーが採用する東北大学の「MRAM」 日本の2大先端技術は大逆転の切り札となるか」 2025/6/16 |
| 46 | 日刊工業新聞 「超伝導ダイオード効果の新しい背景学理を発見」 2025/6/15 |
| 45 | 京都新聞 「スピン偏極したトポロジカル超伝導状態を発見」 2025/6/12 |
| 44 | 日本経済新聞 「脳の仕組み、コンピューターに AIの消費電力大幅減へ」 2025/6/10 |
| 43 | 日刊工業新聞 「阪大、室温でスピン伝導 pn接合半導体で実証」 2025/6/5 |
| 42 | MONOist 「世界初、半導体pn接合構造でスピン伝導観測に室温で成功」 2025/6/5 |
| 41 | Science Japan "Tohoku University develops analog circuit that mimics brain processes with ultra-low power consumption" 2025/6/3 |
| 40 | EE Times Japan 「半導体pn接合デバイスで室温スピン伝導を初観測」 2025/5/29 |
| 39 | TECH+ 「スピントンネルFET実現へ、阪大などがpn接合で室温スピン伝導を初観測」 2025/5/28 |
| 38 | 西日本新聞 「室温で半導体pn接合を介したスピン伝導を初観測！」 2025/5/27 |
| 37 | Reseach at UOsaka Resou 「室温で半導体pn接合を介したスピン伝導を初観測！」 2025/5/27 |
| 36 | 大阪大学基礎工学部 高校生・受験生向けサイト 「室温で半導体pn接合を介したスピン伝導を初観測！―消費電力の増大に歯止めをかける次世代スピントロニクスデバイス開発に期待―」 2025/5/27 |
| 35 | computer hoy "Ni memoria RAM ni SSD: así es la nueva memoria magnética japonesa que rompe todos los récords de eficiencia" 2025/5/26 |
| 34 | enerzine "Réalisation de la plus faible puissance d’écriture au monde pour une cellule SOT-MRAM à haute vitesse" 2025/5/25 |
| 33 | HD blog "Nuova memoria magnetica scrive dati più veloce e consuma il 35% in meno" 2025/5/23 |
| 32 | ElectroPortal+ 「次世代メモリ実用化に道筋、SOT-MRAMの書き込み電力を大幅削減：従来比で35％の削減に成功」 2025/5/23 |
| 31 | MRAM-info "Researchers from Tohoku University demonstrate the world's lower write power SOT-MRAM device" 2025/5/23 |
| 30 | 日刊工業新聞 「書き込み電力35％削減 東北大、高速MRAMで成功」 2025/5/23 |
| 29 | News Picks 「次世代メモリ実用化に道筋、SOT-MRAMの書き込み電力を大幅削減」 2025/5/22 |
| 28 | Before I'ts News "Researchers from Tohoku University demonstrate the world's lower write power SOT-MRAM device" 2025/5/22 |
| 27 | itmedia 「次世代メモリ実用化に道筋、SOT-MRAMの書き込み電力を大幅削減」 2025/5/22 |
| 26 | TechEyesOnline 「次世代メモリ実用化に道筋、SOT-MRAM の書き込み電力を大幅削減」 2025/5/22 |
| 25 | casadomo "Nuevo avance en tecnología de almacenamiento de memoria para electrónica eficiente y ecológica" 2025/5/22 |
| 24 | EE Times Japan 「次世代メモリ実用化に道筋、SOT-MRAMの書き込み電力を大幅削減」 2025/5/22 |
| 23 | ｍｓｎ "World's lowest write power operation for high-speed SOT-MRAM cell achieved" 2025/5/21 |
| 22 | WN "RAM it up: New magnetic memory slashes write power by 35% at record speed" 2025/5/21 |
| 21 | Times of Innovation "RAM it up: New Magnetic Memory Slashes Write Power by 35% at Record Speed" 2025/5/2 |
| 20 | Tech Xplore "World's lowest write power operation for high-speed SOT-MRAM cell achieved" 2025/5/21 |
| 19 | lavelez "La operación de energía de escritura más baja del mundo para la celda SOT-MRAM de alta velocidad lograda" 2025/5/21 |
| 18 | life technology "World's lowest write power operation for high-speed SOT-MRAM cell achieved" 2025/5/21 |
| 17 | Interesting Engineering "RAM it up: New magnetic memory slashes write power by 35% at record speed" 2025/5/21 |
| 16 | Ground.News "World's lowest write power operation for high-speed SOT-MRAM cell achieved " 2025/5/21 |
| 15 | RevoScience "World’s Lowest Write Power Operation for High-speed SOT-MRAM Cell Achieved" 2025/5/21 |
| 14 | Today's Tech News "World's lowest write power operation of 156 fJ in 75° canted high-speed SOT-MRAM cell achieved; holds potential to replace SRAM" 2025/5/20 |
| 13 | IDEMA Japan 「次世代型磁気メモリSOT-MRAMの書き込み電力35％減に成功 ─AIのための消費電力低減に寄与するメモリ技術に道筋─」 2025/5/20 |
| 12 | AlphaGalileo "World's Lowest Write Power Operation for High-speed SOT-MRAM Cell Achieved" 2025/5/20 |
| 11 | EurekAlert! "World's lowest write power operation for high-speed SOT-MRAM cell achieved" 2025/5/20 |
| 10 | asia research news "World's Lowest Write Power Operation for High-speed SOT-MRAM Cell Achieved" 2025/5/20 |
| 9 | National Tribune "World’s Lowest Write Power Operation for High-speed SOT-MRAM Cell Achieved" 2025/5/20 |
| 8 | linkedin "Researchers at Tohoku University have achieved record-breaking energy efficiency for a high-speed memory storage device, called a SOT-MRAM cel" 2025/5/20 |
| 7 | nanoniele 「次世代型磁気メモリSOT-MRAMの書き込み電力35％減に成功 ─AIのための消費電力低減に寄与するメモリ技術に道筋─」 2025/5/20 |
| 6 | 日本の研究.com 「【注目プレスリリース】次世代型磁気メモリSOT-MRAMの書き込み電力35％減に成功 ─AIのための消費電力低減に寄与するメモリ技術に道筋─ / 東北大学」 2025/5/20 |
| 5 | mirage news "SOT-MRAM Cell Hits Record Low Write Power" 2025/5/20 |
| 4 | 日本経済新聞 「東北大、次世代型磁気メモリSOT-MRAMの書き込み電力35%減に成功」 2025/5/20 |
| 3 | ITmedia ビジネスオンライン 「AI時代の電力危機に挑む 東北大の半導体技術と人材育成」 2025/5/7 |
| 2 | pc watch 「次世代の3D NANDフラッシュを実現する要素技術が国際メモリワークショップに続々登場へ」 2025/4/30 |
| 1 | 科学新聞 「脳を模したアナログ回路 超低消費電力で情報処理」 2025/4/25 |