CIESコンソーシアム

国家プロジェクト

内閣府 SIPプロジェクト（第2期）

戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）第2期／フィジカル空間デジタルデータ処理基盤
研究サブテーマII. 超低消費電力IoTデバイス・革新的センサ技術
超低消費電力MTJ/CMOS Hybrid IoTデバイス基盤技術の研究開発

　平成30年度に参画企業の皆様と提案し、採択された「超低消費電力MTJ/CMOS Hybrid IoTデバイス基盤技術の研究開発」（代表事業者：指定国立大学法人東北大学、研究開発責任者：遠藤 哲郎教授）が、戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）第2期／フィジカル空間デジタル処理基盤として展開されております。本提案では、提案者らが開発し、ImPACTで発展させてきたスピントロニクス素子である磁気トンネル接合（MTJ）とCMOS技術を融合させたMTJ/CMOS Hybrid技術を用いて、あらゆるIoTデバイスに演算処理機能に加えて不揮発機能（電源を切っても情報を忘れない機能）を融合させることで従来の消費電力と演算処理性能のジレンマを解消します。これにより、フィジカル空間に求められる飛躍的な低消費電力性能（従来比：1/5 ～ 1/10）を有するIoTデバイスの基盤技術を構築します。
　加えて、本開発技術の応用分野を①エッジサーベランス、②モビリティ、③耐環境、④コネクティッドと定めて実証検証開発を推進することで、IoTデバイス開発に不可欠となる回路IP・設計ツール・PDK群等からなるIoTデバイスの基盤技術体系（開発、製造からモジュール設計までが統合化された体系）を構築すると共に、システム化基盤技術開発を通じて、革新的センサー技術チーム、共通プラットフォーム技術チーム、社会実装技術チームとの連携を促進します。　本SIP 事業を通じて、革新的低消費電力IoTデバイスがもたらす大変革を我が国が主導して成し遂げ、Society 5.0の実現に貢献します。