東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター

東北大学

地域オープンイノベーション拠点

CIESコンソーシアム

産学共同研究

パワーエレクトロニクス モジュール技術

実装インテグレーション技術の研究開発

  • 遠藤 哲郎 遠藤 哲郎 教授
  • 髙橋 良和 髙橋 良和 教授

 本研究テーマでは、GaN-on-SiやSiCなど新しいWBGデバイスの持つ、低損失、高速などの優れた特性を最大限に活かすための、ゲート駆動回路やインダクタ、トランス、コンデンサなどの周辺主要部品を最適に実装するための実装インテグレーション技術を、産学が連携して開発しています。これにより、パワーエレクトロニクス応用装置の小型・軽量化、高機能化、高性能化に貢献します。具体的には、以下の技術開発しています。

  1. パッシブ部品技術
    高周波駆動時でも鉄損、銅損の少ない低損失・超小型リアクトル・トランス技術の開発および、250度以上の高温に耐えるコンデンサ技術の開発。
  2. パワーインテグリティー技術および高放熱レイアウト技術
    高密度化するパワーエレクトロニクス回路に適用される各種PCB基板の電源品質確保技術の開発。高周波時チップ温度を上昇させない高放熱レイアウト技術の開発。
  3. 接合材料・接合技術
    GaN on Si デバイスや、ゲート回路、各種パッシブ部品を絶縁基板や冷却体などに実装する低熱抵抗かつ高信頼性の接合材料・接合技術の開発。
高周波・超小型リアクトル、トランス高耐熱コンデンサの開発

高周波・超小型リアクトル、トランス高耐熱コンデンサの開発

GaN o Si高周波駆動時のチップ温度上昇を抑えた高密度実装技術開発

GaN on Si高周波駆動時のチップ温度上昇を抑えた高密度実装技術開発