東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター

東北大学

地域オープンイノベーション拠点

CIESコンソーシアム

産学共同研究

パワーエレクトロニクス モジュール技術

実装インテグレーション技術の研究開発

  • 遠藤 哲郎 遠藤 哲郎 教授
  • 髙橋 良和 髙橋 良和 教授

 本研究テーマでは、GaN-on-SiやSiCなど新しいWBGデバイスの持つ、低損失、高速などの優れた特性を最大限に活かすため、ゲート駆動回路やインダクタ、トランス、コンデンサなどの周辺主要部品を最適に実装する実装インテグレーション技術(パッシブ部品技術、パワーインテグリティー技術、高放熱レイアウト技術、接合材料/技術)を、産学が連携して開発しています。これにより、パワーエレクトロニクス応用装置の小型・軽量化、高機能化、高性能化に貢献します。

高周波リアクトルの開発

高周波リアクトルの開発

高放熱レイアウト技術によるGaN on Siデバイス

高放熱レイアウト技術によるGaN on Siデバイス
高周波駆動時のチップ上昇温度の抑制