東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター

東北大学

地域オープンイノベーション拠点

CIESコンソーシアム

産学共同研究

パワーエレクトロニクス モジュール技術

GaN on Siモジュール技術の研究開発

  • 遠藤 哲郎 遠藤 哲郎 教授
  • 髙橋 良和 髙橋 良和 教授

 本研究テーマでは、低損失で高速性を兼ね備えたGaN on Si横型パワーデバイスの特長を最大限に活かすためのモジュール化技術(GaN on Siモジュール電圧・電流振動抑制技術、低熱抵抗化技術、高放熱化技術)を、産学が連携して開発しています。これにより、EV&自動運転化、データセンターの拡大、それらの電力供給を最適運用するスマートシティーの実現などに貢献します。

WBGデバイスの耐圧と動作周波数の関係

WBGデバイスの耐圧と動作周波数の関係
(CIESではGaN on Siのモジュール化推進)