CIESコンソーシアム

産学共同研究

パワーエレクトロニクス　モジュール技術

WBGパワーモジュール技術の研究開発

　本研究テーマでは、SiC-MOSFETやGaN on Si横型パワーデバイスなどの低損失で高速性を兼ね備えたワイドバンドギャップ（WBG)パワーデバイスの特長を最大限に活かすためのパワーモジュール技術を、産学が連携して開発しています。これにより、高性能電気自動車（EV）、小型・高効率データセンター電源、それらの電力供給を最適運用するスマートシティーの実現などに貢献します。
具体的には、以下の技術を開発しています。

1. WBGパワーモジュール電圧・電流振動抑制技術
   WBGパワーデバイスの高速性を活かしながらスイッチング時の電圧・電流発振、電圧跳ね上がりを抑制する、低インダクタンスモジュール技術の開発、アクティブゲート駆動回路技術の開発。
2. 低熱抵抗化技術
   小型・高パワー密度化が進むWBGパワーチップの高周波動作時の温度上昇を抑えるための高熱伝導絶縁基板技術の開発。
3. 高放熱化技術
   WBGパワーデバイスの大容量化に対応するための新構造空冷および水冷冷却体技術の開発。