公募情報／公開情報

受賞・報道など

5	長汐晃輔、「グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用」、 "MoS2 FETにおけるゲート容量の理解" "完全二次元層状ヘテロ2層グラフェントランジスタ"、株式会社エヌ・ティー・エス、2020/3/12.
4	長汐晃輔、「2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御」、応用物理、2020/3/10.
3	深見俊輔、林将光、「薄膜作製応用ハンドブック」、株式会社エヌ・ティー・エス、2020/2/14.
2	深見俊輔、大野英男、パリティ「物理科学、この１年」2020（限界を極める高性能微細磁気トンネル接合素子、42-45）、丸善出版株式会社、2020/1/30.
1	T. Hanyu, T. Endoh, Y. Ando, S. Ikeda, S. Fukami, H. Sato, H. Koike, Y. Ma, D. Suzuki, H. Ohno, "Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology 2nd Edition - Chapter 7: Spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM) technology", Elsevier, 2019/6/18.

東北大学
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5	長汐晃輔、「グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用」、 "MoS2 FETにおけるゲート容量の理解" "完全二次元層状ヘテロ2層グラフェントランジスタ"、株式会社エヌ・ティー・エス、2020/3/12.
4	長汐晃輔、「2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御」、応用物理、2020/3/10.
3	深見俊輔、林将光、「薄膜作製応用ハンドブック」、株式会社エヌ・ティー・エス、2020/2/14.
2	深見俊輔、大野英男、パリティ「物理科学、この１年」2020（限界を極める高性能微細磁気トンネル接合素子、42-45）、丸善出版株式会社、2020/1/30.
1	T. Hanyu, T. Endoh, Y. Ando, S. Ikeda, S. Fukami, H. Sato, H. Koike, Y. Ma, D. Suzuki, H. Ohno, "Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology 2nd Edition - Chapter 7: Spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM) technology", Elsevier, 2019/6/18.