東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター

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CIES共同研究公募

H29年度CIES共同研究公募採択課題

H29年度CIES共同研究公募(第2回)

国際集積エレクトロニクス研究開発センター(以下、センター)は、集積エレクトロニクス技術を研究開発し、その技術に係る国際的産学連携拠点の構築を図ることにより、次世代集積エレクトロニクス分野における我が国の国際的な競争力の強化に寄与するとともに、当該分野の技術の実用化及び新産業の創出を目的としています。
「CIES共同研究」とは、次世代集積エレクトロニクス分野における物理・経済理論、材料、プロセス、デバイス等の上流分野から、システム、アプリケーション、マーケティング等の下流分野に至る幅広い分野のインテグレーション及びイノベーションを加速する先進的な研究開発を優れた研究者の協力とともに推進していくものです。
平成29年度は、センターの重点研究開発領域としている基礎から応用に至る(1)スピントロニクス、(2)パワーデバイス、(3)情報理論とその応用、(4)エッジコンピューティング、(5)カーエレクトロニクス、(6)脳型知能システム、及び社会基盤となる(7) 知的財産を活用した産学連携、ベンチャー支援及び地方創生に関する研究を公募いたします。

<公募締切> 平成29年7月18日(火)必着(期限厳守)
※今年度の募集は終了しました※

CIES重点研究開発領域

CIES重点研究開発領域

H29年度CIES共同研究公募

国際集積エレクトロニクス研究開発センター(以下、センター)は、集積エレクトロニクス技術を研究開発し、その技術に係る国際的産学連携拠点の構築を図ることにより、次世代集積エレクトロニクス分野における我が国の国際的な競争力の強化に寄与するとともに、当該分野の技術の実用化及び新産業の創出を目的としています。
「CIES共同研究」とは、次世代集積エレクトロニクス分野における物理・経済理論、材料、プロセス、デバイス等の上流分野から、システム、アプリケーション、マーケティング等の下流分野に至る幅広い分野のインテグレーション及びイノベーションを加速する先進的な研究開発を優れた研究者の協力とともに推進していくものです。
平成29年度は、センターの重点研究開発領域としている基礎から応用に至る(1)スピントロニクス、(2)パワーデバイス、(3)情報理論とその応用、(4)エッジコンピューティング、(5)カーエレクトロニクス、(6)脳型知能システム、及び社会基盤となる(7) 知的財産を活用した産学連携、ベンチャー支援及び地方創生に関する研究を公募いたします。

<公募締切> 平成29年5月1日(月)必着(期限厳守)
※今年度の募集は終了しました※

CIES重点研究開発領域

CIES重点研究開発領域

H28年度CIES共同研究公募採択課題

H28年度CIES共同研究公募

 国際集積エレクトロニクス研究開発センター(以下、センター)は、集積エレクトロニクス技術を研究開発し、その技術に係る国際的産学連携拠点の構築を図ることにより、次世代集積エレクトロニクス分野における我が国の国際的な競争力の強化に寄与するとともに、当該分野の技術の実用化及び新産業の創出を目的としています。
 センターでは、次世代集積エレクトロニクス分野における物理・経済理論、材料、プロセス、デバイス等の上流分野から、システム、アプリケーション、マーケティング等の下流分野に至る幅広い分野のインテグレーション及びイノベーションを加速する先進的な研究開発をセンターと共に推進し、センターの重点研究開発領域としている基礎から応用に至る(1)スピントロニクス、(2)パワーデバイス、(3)ビッグデータ、(4)センサーネットワークシステム、(5)セキュリティ、(6)パワーマネジメント、及び社会基盤となる(7) 知的財産を活用した産学連携、ベンチャー支援及び地方創生に関する研究を公募いたします。

<公募締切> 平成28年5月31日(火)必着(期限厳守)
※平成28年度の募集は終了しました※

CIES重点研究開発領域

CIES重点研究開発領域