東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター

東北大学

公募情報/公開情報

公募情報

教員・研究員公募

教員(准教授)の公募

募集種別
准教授
募集人数
2名程度
所属
東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター
専門分野
科学技術振興機構(JST)戦略的創造研究推進事業ACCEL研究開発課題「縦型BC-MOSFETによる三次元集積工学と応用展開(研究代表者:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター・遠藤哲郎教授)」において、縦型BC-MOSFETを用いたDRAMやSTT-MRAM等の半導体集積回路の開発を行う。この中で、回路設計、もしくは評価に関する研究開発を担当してもらう。DDRインターフェース世代のDRAM、もしくはSTT-MRAMの他、SRAM(エンベデッド、キャッシュ)、強誘電体メモリ(FeRAM)、相転移メモリ(PCRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)等の半導体メモリの回路設計もしくはチップの電気的特性評価の経験を有していることが望ましい。
職務
<研究開発部門>
  1. 半導体集積回路、特にDRAMやSTT-MRAM等の半導体メモリにかかる回路・レイアウトの研究開発
  2. 半導体集積回路、特にDRAMやSTT-MRAM等の半導体メモリにかかる設計ツール(CAD・TCAD)の研究開発
  3. 半導体集積回路、特にDRAMやSTT-MRAM等の半導体メモリにかかる評価の研究開発
応募資格
博士の学位を有すること(着任までに取得見込みの方を含む)、あるいは本業務を実施する能力や業務実績を有すること。専門分野に関する優れた研究業績および研究能力を有すること。
採用予定日
可能な限り早い時期
任期
最長プロジェクト終了時(平成31年3月)まで。単年度毎に更新可。
処遇
常勤の准教授として採用。
提出書類
  1. 履歴書(高卒以降、学歴、職歴、写真貼付、書式自由、連絡先を明記)
  2. これまでの研究歴およびその概要(2000字程度。文中で(3)の研究業績リストの番号を引用して下さい。)
  3. 研究・開発業績リスト(学術論文、国際会議論文、総説・解説、著書、特許、受賞、学会・社会における活動状況、競争的資金獲得状況、その他特記事項に分類して作成すること)
  4. 主な原著論文(5編)の別刷りまたはコピー、およびその概要(1編あたり300字程度)
  5. 主要な国際会議プロシーディングスや学会発表(5編)の別刷りまたはコピー、およびその概要
  6. 着任後の研究計画と抱負(2000字程度)
  7. 応募者について意見を伺える方(2名)の氏名・所属・連絡先

※書類はA4判用紙に横書き、項目毎に別葉年とし、封書に「国際集積エレクトロニクス研究開発センター教員 応募書類在中」と朱書きして書留にて送付して下さい。応募書類は、原則として返却しません。

選考方法
書類による審査の後、面接もしくはプレゼンテーションをお願いすることがあります。そのための交通費や滞在費などは応募者の負担とします。
公募締切
決定次第終了
書類送付・問合せ先
〒980-8572 仙台市青葉区荒巻字青葉468-1
東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター 支援室
支援室長 門脇 豊
E-mail: yut-kado●cies.tohoku.ac.jp
(注 メールで問い合わせる場合は、●を@に入れ替えて下さい。)
参考
(東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターの設置目的)

集積エレクトロニクス技術を研究開発し、及びその技術に係る国際的産学連携拠点の構築を図ることにより、次世代集積エレクトロニクス分野における我が国の国際的な競争力の強化に寄与するとともに、当該分野の技術の実用化及び新産業の創出を目的とする。

(男女共同参画について)

東北大学は、男女共同参画を積極的に推進しています。子育て支援の詳細等、男女共同参画の取り組みについては下記URLをご覧下さい。
http://www.bureau.tohoku.ac.jp/danjyo/