CIESコンソーシアム

CIES共同研究

産学共同プロジェクト提案型

Co系アモルファス磁性超薄膜の磁化ダイナミクスに関する研究

　本研究課題では、不揮発性メモリ素子（MRAM）やスピン論理演算素子といった新規スピントロ二クスデバイスの設計開発に向けて、磁性材料とその高周波磁気計測の観点から、デバイスを構成するCo系アモルファス磁性金属超薄膜における磁化ダイナミクスの基本要素パラメータ(ダンピング定数、FMR周波数とその半値幅)を新規高周波磁化計測法を用いて詳細に検討し、得られた知見を元にその磁化ダイナミクスの解明を提案します。
　磁化ダイナミクスのメカニズム解明によって、基礎的な観点から、ダンピング定数と磁気ひずみとの関連性の有無を明確にすることによって、学術的な進展が期待できます。工学的応用の観点からは、新規スピントロニクスデバイスにおける高速処理・小型高効率化・省エネ化が飛躍的に進展することが期待できます。この視点は、スピントロ二クスデバイスに限らず磁性材料からなる高周波部品の設計指針にもつながります。これらに加えて、本研究課題のキーを握る「新規高周波磁化計測法」の確立（高精度化、自動化）に向けて計測メーカとの産学共同研究プロジェクトへ発展することが期待できます。