センター概要

共通主要評価設備

番号 設備名 用途 ウェハサイズ
1 透過電子顕微鏡(STEM) 構造解析/分析 チップ
2 集束イオンビーム加工観察装置(FIB) 解析サンプル加工 チップ
3 走査電子顕微鏡(SEM) 構造解析/分析 チップ
4 光電子分光装置(XPS) 界面組成/化学結合分析 チップ
5 X線回折装置(XRD) 組成/結晶性/歪・応力解析 チップ
6 イオンコーター 解析サンプル処理 チップ
7 マイクロサンプリング装置 解析サンプル処理
8 ドラフトチャンバー 解析サンプル処理
9 レーザーマーカー 解析サンプル処理 300mm
10 分光エリプソ 絶縁薄膜膜厚 300mm
11 蛍光X線分析装置(XRF) メタル薄膜厚 300mm
12 走査型プローブ顕微鏡(SPM) 表面モフォロジー/段差 300mm
13 シート抵抗測定器 メタル/拡散層シート抵抗 300mm/FOUP対応
14 MR比測定器 MTJシート抵抗 300mm
15 試料振動型磁力計(VSM) M-Hカーブ チップ
16 トルク計 磁気トルク チップ
17 光学顕微鏡 外観検査 300mm
18 欠陥検査装置 パーティクル検査 300mm/FOUP対応
19 全反射X線蛍光装置(TXRF) メタル汚染検査 300mm/FOUP対応
20 チップアニール装置 磁場印加アニール チップ
21 MTJ/トランジスタ等単体デバイス
評価システム
電気特性評価/セミオート測定
/-40~+200℃
300mm
22 MTJ/トランジスタ等単体デバイス
評価システム
電気特性評価/セミオート測定
/RT~+200℃
300mm
23 MTJ/トランジスタ等単体デバイス
評価システム
電気特性評価/フルオート測定
/-60~+200℃
300mm/FOUP対応
24 MTJ単体デバイス磁場印加
評価システム
電気・磁気特性評価
/マニュアル測定/RT
300mm
25 MTJ単体デバイス磁場印加
評価システム
電気・磁気特性評価
/セミオート測定/RT
300mm
26 MTJ/トランジスタ等単体デバイス
~LSI評価システム
電気特性評価
/マニュアル測定/RT~+300℃
300mm
27 メモリLSIテストシステム メモリLSIチップ性能評価
/フルオート測定/RT~+150℃
300mm/FOUP対応
28 高電圧対応パワーデバイス
評価システム
パワーデバイス電気特性評価
/マニュアル測定/RT~+300℃
150mm
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