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JST ACCELプロジェクト

縦型BC-MOSFETによる三次元集積工学と応用展開

　科学技術振興機構（JST）戦略的創造研究推進事業CREST研究課題「縦型ボディーチャネルMOSFETとその集積プロセスの開発（研究代表者：遠藤哲郎教授）」で開発された革新基盤技術を集積回路の新しい技術プラットフォームにまで発展させるため、JST戦略的創造研究推進事業ACCEL研究開発課題「縦型BC-MOSFETによる三次元集積工学と応用展開（研究代表者：遠藤哲郎教授）」を推進しています。本プロジェクトでは、飛躍的な高集積化と省エネ性を同時に実現する縦型BC-MOSFETを基盤技術として、ワーキングメ モリ（DRAM やSTT-MRAM）を中心にロジックLSI、アナログLSI 、さらにはAI・脳型LSIなど様々な応用展開に繋がる共通基盤技術の開発をしています。

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• JST news 2014年8月号