研究開発テーマ1 | スピントロニクス素子の高信頼性及び集積性・省電力性の向上の実現 |
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研究開発課題1-1 MTJ素子の高品質化のための新材料、プロセス技術の確立 | |
研究開発課題1-2 新構造スピントロニクス素子による超省電力型新機能デバイスの実現 | |
研究開発テーマ2 |
スピントロニクス不揮発性集積回路による 飛躍的な低消費電力化 および測定技術の実現 |
研究開発課題2-1 超低消費電力化のための回路技術の確立 | |
研究開発課題2-2 スピントロニクス集積回路製造のための高効率、高精度加工装置の実現 | |
研究開発課題2-3 スピントロニクス素子の高効率、高精度特性評価手法の確立 | |
研究開発課題2-4 スピントロニクス集積回路の高効率、高精度特性評価手法の確立 | |
研究開発テーマ3 |
GaN on SiとSiパワーデバイスを融合した GaN/Siハイブリッドパワー集積回路の実現 |
研究開発課題3-1 Si(100)基板上における高品質GaN結晶の成長技術の確立 | |
研究開発課題3-2 GaN/Siハイブリッドパワー集積回路を用いた次世代電装コンポーネント技術の確立 | |
研究開発テーマ4 |
高度自動判断システムとハイブリッドパワー集積回路が生み出す 次世代移動体システムの実現 |
研究開発課題4-1 高度自動不揮発性アナログ素子を用いた高度自動判断システムの確立 | |
研究開発課題4-2 次世代移動体システム用デジタルニューラルネット回路・アーキテクチャ技術の確立 |