CIESコンソーシアム

CIES共同研究

若手研究者対象型

新規伝送線路型プロービング計測による磁性超薄膜の磁化ダイナミクスに関する検討

　本研究課題では、低消費電力・高速応答といった特長を有する新規スピントロ二クスデバイスの設計・実用化に向けて、磁性材料とその高周波磁気計測の観点から、①磁性超薄膜の磁化ダイナミクスの解明と、②磁化ダイナミクスの基本要素パラメータにあたるダンピング定数、FMR周波数とその半値幅の制御法を提案します。
　磁化ダイナミクスのメカニズム解明に関しては、ダンピング定数と磁気ひずみの同時測定が可能な新規伝送線路型プロービング計測法を開発・導入して、同一試料による同時計測からダンピング定数と磁気ひずみとの関連をより明確にすることによって、学術的な進展に大いに期待できます。また、磁化ダイナミクスの基本要素パラメータの制御法に関しては、電圧による制御の可能性を明確にし、省エネ化が飛躍的に進展することを期待できます。加えて、この視点は、スピントロ二クスデバイスに限らず磁性材料からなる高周波部品の設計指針にもつながります。